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Materiale: | Substrato di monocristallo del niobato di litio LiNbO3 LN per Pyroelectric | Tolleranza di dimensione: | ±0.05mm |
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Orientamento di asse ottico: | ±0.5° | PLANARITÀ: | λ/4 @632.8nm |
Qualità di superficie: | 20/10 | AR-rivestimento: | R<0.2% @1550nm±40nm |
Spessore: | 0.5mm/1mm | Consegna: | 1-4 settimane |
Evidenziare: | Cristalli di effetto piezoelettrico LiNbO3,Cristalli di effetto piezoelettrico del niobato di litio,Cristallo del niobato di litio LiNbO3 |
Substrato di monocristallo del niobato di litio LiNbO3 LN per Pyroelectric
L'a cristallo LiNbO3 (niobato di litio, LN) è un negativi cristallo monoassiale e dei materiali ottici il più completamente caratterizzati. Con la sua ampia gamma della trasparenza nel visibile e mezzo-infradred ed il prodotto chimico eccellente e la stabilità meccanica, cristallo di LN possono essere utilizzati come materiale bifrengent per le applicazioni nell'infrarosso.
Con i suoi grandi coefficienti elettroottici, l'ampia finestra ottica della trasparenza e la disponibilità di alti cristalli ottici di qualità, a cristallo di LN (niobato di litio) è spesso il materiale della scelta per modulazione ottica e del Q-commutatore alle lunghezze d'onda vicine all'infrarosso ed infrarosse. Per i modulatori elettroottici (EOM) il cristallo può essere z tagliato con la birifrangenza residua zero lungo la direzione della propagazione leggera o x tagliato con la birifrangenza residua diversa da zero e l'efficace coefficiente elettroottico massimizzato. Per il Q-commutatore l'a cristallo è in genere z tagliato con la birifrangenza residua zero e un campo elettrico è trasversale applicato alla direzione della propagazione leggera. Lo squillo piezoelettrico in LN è uno svantaggio ad alta frequenza di ripetizione, ma può essere sormontato in parte con le progettazioni piezoelectrically attenuate adeguate.
Crystro fornisce:
LiNbO3 è inoltre un buon cristallo acustoottico ed usato per il wafer dell'onda acustica di superficie (SEGA) ed i modulatori di A-O. Crystro fornisce il grado acustico LiNbO (della SEGA)3 cristalli in wafer, in boules come tagliati, nelle componenti finite e negli elementi fabbricati su ordinazione.
Proprietà di base di LiNbO3:
Crystal Sturucture | Trigonal, gruppo di spazio R3c, gruppo del punto 3m |
Punto di fusione | 1253℃ |
Durezza di Mohs | 5 |
Densità | 4.64g/cm3 |
Deliquescenza | Nessuno |
Omogeneità ottica | ~5x10-5/cm |
Gamma della trasparenza | 420-5200nm |
Coefficiente di assorbimento | ~0.1%/cm @1064nm |
Indici di rifrazione a 1064nm | Ne =2.146, no = 2.220@1300nm Ne =2.156, no = 2.232@1064nm Ne =2.203, no = 2.286@632.8nm |
Coefficienti di espansione termica (a 25℃) | //a, 2.0x10-6/K //a, 2.2x10-6/K |
Coefficienti di conducibilità termica | 38 W/m/K a 25℃ |
Coefficienti ottici termici | dno/dT =-0.874/K di x 10-6a1.4μm dne/dT =39.073/K di x 10-6a1.4μm |
Le equazioni di Sellmeier (λ nel μm) | nessun 2=4.9048+0.11768/(Ne0.027169λ2 2=4.5820+0.099169/(λ2-0,04443)deiλ2-0,04750)--0.02195λ2 |
Proprietà tipiche della SEGA
Tipo tagliato | SEGA Velocità Contro (m/s) | Elettromeccanico Fattore di accoppiamento K2s (%) | Temperatura Coefficiente di Velocità /℃ di TCV (10-6) | Temperatura Coefficiente di Ritardo /℃ di TCD (10-6) |
127,86 ° Y-X | 3970 | 5,5 | -60 | 78 |
Y-X | 3485 | 4,3 | -85 | 95 |
Specifiche tipiche
Specifiche | Boule | Wafer | ||
Diametro | Φ3» | Φ4» | Φ3» | Φ4» |
Lunghezza o spessore (millimetri) | ≤100 | ≤50 | 0.35-0.5 | |
Orientamento | 127.86°Y, 64°Y, 135°Y, X, Y, Z e l'altro taglio | |||
Orientamento di Ref.Flat | X, Y | |||
Lunghezza di Ref.Flat | 22±2mm | 32±2mm | 22±2mm | 32±2mm |
Lucidatura di Front Side | / | Lo specchio ha lucidato 5-15 Å | ||
Avvolgimento laterale posteriore | / | 0.3-1.0μm | ||
Planarità (μm) | / | ≤15 | ||
Arco (μm) | / | ≤25 |
Persona di contatto: Ms. Wu
Telefono: 86-18405657612
Fax: 86-0551-63840588